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當(dāng)前位置：首頁(yè)產(chǎn)品中心晶體樣品制備光學(xué)浮區(qū)爐ScIDre HKZ高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

德國(guó)SciDre公司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長(zhǎng)溫度，晶體生長(zhǎng)腔壓力可達(dá)300bar，甚至10-5mbar的高真空

產(chǎn)品型號(hào)：ScIDre HKZ
更新時(shí)間：2024-11-18
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
訪問(wèn)量：214
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德國(guó)SciDre公司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長(zhǎng)溫度，晶體生長(zhǎng)腔壓力可達(dá)300bar，甚至10-5mbar的高真空。適用于生長(zhǎng)各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。

 

 

┃ 設(shè)備技術(shù)參數(shù)

 

  • 采用垂直式光路設(shè)計(jì)

  • 采用高照度短弧氙燈，多種功率規(guī)格可選

  • 熔區(qū)溫度：>3000℃

  • 熔區(qū)壓力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規(guī)格可選

  • 氧氣/氬氣/氮?dú)?空氣/混合氣等多種氣路可選

  • 采用光柵控制技術(shù)，加熱功率從0-99% 連續(xù)可調(diào)

  • 樣品腔可實(shí)現(xiàn)低至10-5mbar真空環(huán)境

  • 豐富的可升選件

 

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